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罗宏伟研究员级高工

2015/03/16 16:21:06人浏览

    罗宏伟    
    LUOHONGWEI    
    研究员级高工    
    所属学院:    
    材料与能源学院    
    导师类别:    
    硕士生导师    
    科研方向:    
    电子元器件检测技术;可靠性技术    
    硕士招生学院:    
    材料与能源学院    
个人简述
(限300字)
罗宏伟,博士,研究员,副主任,硕士生导师,1968年生,分别于1990年、1995、2005年在西安电子科技大学微电子与固体电子学专业获得本科、硕士、博士学位。1995年4月起在信息产业部电子五所工作至今,一直从事电子元器件及集成电路的失效模式/失效机理分析、可靠性试验和评价、可靠性设计以及鉴定检测等方面的工作,主要研究电子产品的可靠性失效机理、可靠性数值模拟及集成电路的可靠性设计、可靠性模拟仿真等,先后承担或主持完成“九五”、“十五”、“十一五”预研、重点实验室基金、重点基金以及国家科技重大专项等10余项课题研究工作,在国内首次系统的建立了针对VLSI电路主要失效机理的可靠性设计方法,在国内外核心刊物上发表学术论文60余篇,参与编写出版专著4本,先后获得省部级科技进步奖五项,获国家发明专利2项,申请国家发明专利多项。
学科领域
科学学位:    
微电子学与固体电子学

专业学位:    
集成电路工程
教育背景

2011.01-now,1990年、1995、2005年在西安电子科技大学微电子与固体电子学专业获得本科、硕士、博士学位

工作经历

1995年4月起在信息产业部电子五所工作至今,一直从事电子元器件及集成电路的失效模式/失效机理分析、可靠性试验和评价、可靠性设计以及鉴定检测等方面的工作

主要荣誉

先后获得省部级科技进步奖五项

主要论文

石晓峰, 罗宏伟, 李斌, SHI Xiaofeng, LUO Hongwei, LI Bin    ESD应力下n阱扩散电阻的潜在损伤,电子元件与材料,2009, 28(9),  

吴建得, 罗宏伟, WU Jian-de, LUO Hong-wei    铜键合线的发展与面临的挑战,电子产品可靠性与环境试验,2008, 26(6),  

FLOTOX结构的EEPROM可靠性研究

知识产权

发明专利   一种基于低能X射线的MCM/HIC电路总剂量辐照试验方法(ZL200810218930.9)   罗宏伟等   2010 .1

发明专利    CMOS电路的闩锁测试方法(ZL200410051149.9)   罗宏伟   2008 .1

科研项目

承担了十余项国家重大专项、重点实验室基金、基础科研项目    电子元器件可靠性   罗宏伟   2011 .1