时间:2016年3月31日,星期四上午9:00开始
地址:广东工业大学工学3号馆217室材料与能源学院会议室
报告人:霍能杰博士
报告题目:二维材料及其异质结的生长、性能和光电子应用研究
报告人简介:
霍博士于2015年7月获得中科院半导体所博士学位,现在西班牙光子科学研究所(ICFO)做博士后研究工作。主要研究方向为二维半导体材料的物理性能和光电器件研究。目前已发表20余篇SCI论文,包括Sci. Rep., Adv. Funct. Mater., Small, Appl. Phys. Lett., JMCC等。
报告内容摘要:
二维半导体材料包括石墨烯和过渡金属硫族化物(TMDs)如MoS2和WS2等,具有优良的物理光电性能,例如,较高的载流子迁移率;完全透光性;可弯曲性;单层为直接带隙结构;良好的场效应和光敏气敏性能等。近年来,由不同二维半导体材料叠加而成的范德瓦尔斯异质结也逐渐兴起,它们由较弱的范德瓦尔斯力结合在一起,能带带阶为II型结构,因而表现出独特的物理性能和器件功能,例如,原子层厚MoS2/WSe2P-N异质结具有良好的整流、光伏和电致发光特性。这表明,二维半导体材料及其异质结在未来的光电子领域中,包括场效应晶体管、光探测器、光电池和LEDs等,具有广阔的应用前景。本报告将重点介绍二维半导体材料(WS2、MoS2和WSe2等)及其异质结的生长和物理性能以及它们在光电子器件中的应用价值。
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